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    1. Ha, D; Shin, D; Koh, GH; Lee, J; Lee, S; Ahn, YS; Jeong, H; Chung, T; Kim, K
      A cost effective embedded DRAM integration for high density memory and high performance logic using 0.15 mu m technology node and beyond

      IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
    2. LIU HW; CHENG HC
      EXCELLENT LOW-PRESSURE-OXIDIZED SI3N4 FILMS ON ROUGHENED POLY-SI FOR HIGH-DENSITY DRAMS

      IEEE electron device letters
    3. HORIKAWA T; YUUKI A; SHIBANO T; KAWAHARA T; MAKITA T; KUROIWA T; YAMAMUKA M; OOMORI T; MIKAMI N; ONO K
      NOVEL STACKED CAPACITOR TECHNOLOGY FOR 1-GBIT DRAMS WITH (BA,SR)TIO3 THIN-FILMS

      Electronics & communications in Japan. Part 2, Electronics
    4. OGIHARA H; YOSHIMARU M; TAKASE S; KUROGI H; TAMURA H; KITA A; ONODA H; INO M
      THE DOUBLE-SIDED RUGGED POLY SI (DSR) TECHNOLOGY FOR HIGH-DENSITY DRAMS

      IEICE transactions on electronics


ASDD Area Sistemi Dipartimentali e Documentali, Università di Bologna, Catalogo delle riviste ed altri periodici
Documento generato il 24/10/20 alle ore 00:25:37