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    1. Osten, HJ; Rucker, H; Liu, JP; Heinemann, B
      Wider latitude for sophisticated devices by incorporating carbon into crystalline Si or SiGe

      MICROELECTRONIC ENGINEERING
    2. SEIFERT G; KASCHNER R; SCHONE M; PASTORE G
      DENSITY-FUNCTIONAL CALCULATIONS FOR ZINTL SYSTEMS - STRUCTURE, ELECTRONIC-STRUCTURE AND ELECTRICAL-CONDUCTIVITY OF LIQUID NASN ALLOYS

      Journal of physics. Condensed matter
    3. CHEN F; TROGER RT; ROE K; DASHELL MD; JONCZYK R; HOLMES DS; WILSON RG; KOLODZEY J
      ELECTRICAL-PROPERTIES OF SI1-X-YGEXCY AND GE1-YCY ALLOYS

      Journal of electronic materials
    4. ORNER BA; KHAN A; HITS D; CHEN F; ROE K; PICKETT J; SHAO X; WILSON RG; BERGER PR; KOLODZEY J
      OPTICAL-PROPERTIES OF GE1-YCY ALLOYS

      Journal of electronic materials


ASDD Area Sistemi Dipartimentali e Documentali, Università di Bologna, Catalogo delle riviste ed altri periodici
Documento generato il 29/10/20 alle ore 12:29:14