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    1. HORIKAWA T; YUUKI A; SHIBANO T; KAWAHARA T; MAKITA T; KUROIWA T; YAMAMUKA M; OOMORI T; MIKAMI N; ONO K
      NOVEL STACKED CAPACITOR TECHNOLOGY FOR 1-GBIT DRAMS WITH (BA,SR)TIO3 THIN-FILMS

      Electronics & communications in Japan. Part 2, Electronics
    2. ASANO M; KAWANO K; TANAKA S; ONISHI Y
      FABRICATION OF 0.2-MU-M HOLE PATTERNS IN KRF-EXCIMER-LASER LITHOGRAPHY

      JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS
    3. JUNG DJ; PARK JK; LEE KY; KANG NS; KIM KN; SHIM TE; PARK JM
      A 0.25 MU-M COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTOR (CMOSFET) USING HALO IMPLANTATION FOR 1 GBIT DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORY (DRAM)

      JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS
    4. WATANABE S; MINAMI T
      ESTIMATION OF YIELD SUPPRESSION FOR 1.5 V-1 GBIT DRAMS CAUSED BY THRESHOLD VOLTAGE VARIATION OF MOSFET DUE TO MICROSCOPIC FLUCTUATION IN DOPANT DISTRIBUTIONS

      IEICE transactions on electronics


ASDD Area Sistemi Dipartimentali e Documentali, Università di Bologna, Catalogo delle riviste ed altri periodici
Documento generato il 27/10/20 alle ore 23:07:32