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    1. Dvorak, MW; Bolognesi, CR; Pitts, OJ; Watkins, SP
      300 GHz InP/GaAsSb/InP double HBTs with high current capability and BVCEO >= 6 V

      IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
    2. Pitts, OJ; Watkins, SP; Wang, CX; Stotz, JAH; Thewalt, MLW
      In-situ monitoring, structural, and optical properties of ultrathin GaSb/GaAs quantum wells grown by OMVPE

      JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS
    3. Wiersma, R; Stotz, JAH; Pitts, OJ; Wang, CX; Thewalt, MLW; Watkins, SP
      P-type carbon doping of GaSb

      JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS
    4. Fink, V; Chevalier, E; Pitts, OJ; Dvorak, MW; Kavanagh, KL; Bolognesi, CR; Watkins, SP; Hummel, S; Moll, N
      Anisotropic resistivity correlated with atomic ordering in p-type GaAsSb

      APPLIED PHYSICS LETTERS
    5. Watkins, SP; Pitts, OJ; Dale, C; Xu, XG; Dvorak, MW; Matine, N; Bolognesi, CR
      Heavily carbon-doped GaAsSb grown on InP for HBT applications

      JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH


ASDD Area Sistemi Dipartimentali e Documentali, Università di Bologna, Catalogo delle riviste ed altri periodici
Documento generato il 05/06/20 alle ore 06:29:15