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    1. Flade, T; Jurisch, M; Kleinwechter, A; Kohler, A; Kretzer, U; Prause, J; Reinhold, T; Weinert, B
      State of the art 6 '' SI GaAs wafers made of conventionally grown LEC-crystals

      JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
    2. Korb, J; Flade, T; Jurisch, M; Kohler, A; Reinhold, T; Weinert, B
      Carbon, oxygen, boron, hydrogen and nitrogen in the LEC growth of SI GaAs:a thermochemical approach

      JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
    3. JURISCH M; FLADE T; HOFFMANN B; KOHLER A; KORB J; KRETZER U; REINHOLD T; WEINERT B
      SEMIINSULATING LEC GAAS SUBSTRATES WITH AN IMPROVED MACROSCOPIC AND MESOSCOPIC HOMOGENEITY

      Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology
    4. WIEDEMANN B; BETHGE K; SCHUTZE W; LAMBERT U; PAHLKE S; REINHOLD T; WEINERT B; FLADE T
      RADIOFREQUENCY SPARK SOURCE-MASS SPECTROMETRIC ANALYSIS OF OXYGEN IN UNDOPED SILICON-CRYSTALS AND OF CARBON IN UNDOPED AND CARBON-DOPED GALLIUM-ARSENIDE CRYSTALS

      Fresenius' journal of analytical chemistry


ASDD Area Sistemi Dipartimentali e Documentali, Università di Bologna, Catalogo delle riviste ed altri periodici
Documento generato il 11/08/20 alle ore 05:43:25