Catalogo Articoli (Spogli Riviste)

HELP
ATTENZIONE: attualmente gli articoli Current Contents (fonte ISI) a partire dall'anno 2002 sono consultabili sulla Risorsa On-Line

Le informazioni sugli articoli di fonte ISI sono coperte da copyright

La ricerca find articoli where authors phrase all words ' LECARVAL G' sort by level,fasc_key/DESCEND, pagina_ini_num/ASCEND ha restituito 5 riferimenti
Selezionare un intervallo

Per ulteriori informazioni selezionare i riferimenti di interesse.

    1. Deleonibus, S; Caillat, C; Guegan, G; Heitzmann, M; Nier, ME; Tedesco, S; Dal'zotto, B; Martin, F; Mur, P; Papon, AM; Lecarval, G; Biswas, S; Souil, D
      A 20-nm physical gate length NMOSFET featuring 1.2 nm gate oxide, shallow implanted source and drain and BF2 pockets

      IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
    2. Deleonibus, S; Caillat, C; Guegan, G; Heitzmann, M; Nier, ME; Tedesco, SR; Dal'zotto, B; Martin, F; Mur, P; Papon, AM; Lecarval, G; Biswas, S
      A 20-nm physical gate length NMOSFET featuring 1.2-nm gate oxide, shallow implanted source and drain and BF2 pockets (vol 21, pg 173, 2000)

      IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
    3. BOUVIER S; BELLEVILLE M; MCDEVITT M; LECARVAL G
      PARASITIC COUPLING IN 3D TECHNOLOGIES

      Electronics Letters
    4. WALZ D; LECARVAL G; JOLY JP; KAMARINOS G
      AN IN-DEPTH ANALYSIS OF THE ELYMAT TECHNIQUE FOR CHARACTERIZING METALLIC MICROCONTAMINATION IN SILICON - EXPERIMENTAL VALIDATION FOR IRON CONTAMINATION IN P-TYPE WAFERS

      Semiconductor science and technology
    5. FERLETCAVROIS V; MUSSEAU O; LERAY JL; COIC YM; LECARVAL G; GUICHARD E
      COMPARISON OF THE SENSITIVITY TO HEAVY-IONS OF SRAMS IN DIFFERENT SIMOX TECHNOLOGIES

      IEEE electron device letters


ASDD Area Sistemi Dipartimentali e Documentali, Università di Bologna, Catalogo delle riviste ed altri periodici
Documento generato il 05/08/20 alle ore 01:23:19