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    1. Harada, H; Matsuo, Y; Tanahashi, K; Koukitsu, A; Inoue, N; Wada, K
      Effect of stress by dopants and nitrogen on grown-in defects in silicon

      PHYSICA B
    2. Tanahashi, K; Harada, H; Koukitsu, A; Inoue, N
      Modeling of point defect behavior by the stress due to impurity doping in growing silicon

      JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH


ASDD Area Sistemi Dipartimentali e Documentali, Università di Bologna, Catalogo delle riviste ed altri periodici
Documento generato il 05/06/20 alle ore 06:23:42