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Titolo:
NONLINEAR ABSORPTION AND GAIN IN INGAAS GAAS QUANTUM-WELLS/
Autore:
COLI G; PASSASEO A; GRECO D; CINGOLANI R; TAGLIAFERRI M; DITRAPANI P; ANDREONI A;
Indirizzi:
UNIV LECCE,DIPARTIMENTO SCI MAT I-73100 LECCE ITALY UNIV MILAN,IST SCI MATEMAT FIS & CHIM I-22100 COMO ITALY
Titolo Testata:
Applied physics letters
fascicolo: 7, volume: 71, anno: 1997,
pagine: 915 - 917
SICI:
0003-6951(1997)71:7<915:NAAGII>2.0.ZU;2-M
Fonte:
ISI
Lingua:
ENG
Soggetto:
OPTICAL NONLINEARITIES; SEMICONDUCTORS; SPECTRA;
Tipo documento:
Article
Natura:
Periodico
Settore Disciplinare:
Science Citation Index Expanded
Citazioni:
10
Recensione:
Indirizzi per estratti:
Citazione:
G. Coli et al., "NONLINEAR ABSORPTION AND GAIN IN INGAAS GAAS QUANTUM-WELLS/", Applied physics letters, 71(7), 1997, pp. 915-917

Abstract

We present a detailed study of the excitonic nonlinearities in InGaAs/GaAs multiple quantum wells based on both stationary and transient pump-and-probe transmission spectroscopy. Bleaching of the excitonic resonance and free carrier gain have been observed. A quantitative analysis of the observed nonlinearity is provided by means of a rigorous solution of the Bethe-Salpeter equation for the investigated heterostructures. (C) 1997 American Institute of Physics.

ASDD Area Sistemi Dipartimentali e Documentali, Università di Bologna, Catalogo delle riviste ed altri periodici
Documento generato il 02/07/20 alle ore 22:26:44