Catalogo Articoli (Spogli Riviste)

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Titolo:
Growth of GaAs quantum dots on Si substrate with artificial topography by ion sputtering
Autore:
Li, G; Zhang, J; Yang, L; Zhang, Y; Zhang, L;
Indirizzi:
Chinese Acad Sci, Inst Solid State Phys, Hefei 230031, Peoples R China Chinese Acad Sci Hefei Peoples R China 230031 ei 230031, Peoples R China
Titolo Testata:
SCRIPTA MATERIALIA
fascicolo: 8-9, volume: 44, anno: 2001,
pagine: 1945 - 1948
SICI:
1359-6462(20010518)44:8-9<1945:GOGQDO>2.0.ZU;2-P
Fonte:
ISI
Lingua:
ENG
Soggetto:
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION; PHOTOLUMINESCENCE;
Keywords:
semiconductor; quantum dot; AFM; sputtering;
Tipo documento:
Article
Natura:
Periodico
Settore Disciplinare:
Physical, Chemical & Earth Sciences
Engineering, Computing & Technology
Citazioni:
13
Recensione:
Indirizzi per estratti:
Indirizzo: Li, G Chinese Acad Sci, Inst Solid State Phys, POB 1129, Hefei 230031, Peoples RChina Chinese Acad Sci POB 1129 Hefei Peoples R China 230031 oples RChina
Citazione:
G. Li et al., "Growth of GaAs quantum dots on Si substrate with artificial topography by ion sputtering", SCR MATER, 44(8-9), 2001, pp. 1945-1948


ASDD Area Sistemi Dipartimentali e Documentali, Università di Bologna, Catalogo delle riviste ed altri periodici
Documento generato il 19/09/20 alle ore 21:15:45