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Titolo:
A 20-nm physical gate length NMOSFET featuring 1.2-nm gate oxide, shallow implanted source and drain and BF2 pockets (vol 21, pg 173, 2000)
Autore:
Deleonibus, S; Caillat, C; Guegan, G; Heitzmann, M; Nier, ME; Tedesco, SR; Dalzotto, B; Martin, F; Mur, P; Papon, AM; Lecarval, G; Biswas, S;
Titolo Testata:
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
fascicolo: 12, volume: 21, anno: 2000,
pagine: 616 - 616
SICI:
0741-3106(200012)21:12<616:A2PGLN>2.0.ZU;2-S
Fonte:
ISI
Lingua:
ENG
Tipo documento:
Correction, Addition
Natura:
Periodico
Settore Disciplinare:
Engineering, Computing & Technology
--discip_EC--
Citazioni:
1
Recensione:
Indirizzi per estratti:
Citazione:
S. Deleonibus et al., "A 20-nm physical gate length NMOSFET featuring 1.2-nm gate oxide, shallow implanted source and drain and BF2 pockets (vol 21, pg 173, 2000)", IEEE ELEC D, 21(12), 2000, pp. 616-616


ASDD Area Sistemi Dipartimentali e Documentali, Università di Bologna, Catalogo delle riviste ed altri periodici
Documento generato il 20/09/20 alle ore 22:26:53