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Titolo:
Layer-by-layer growth of GaN induced by silicon
Autore:
Munkholm, A; Thompson, C; Murty, MVR; Eastman, JA; Auciello, O; Stephenson, GB; Fini, P; DenBaars, SP; Speck, JS;
Indirizzi:
Argonne Natl Lab, Div Chem, Argonne, IL 60439 USA Argonne Natl Lab Argonne IL USA 60439 ab, Div Chem, Argonne, IL 60439 USA No Illinois Univ, Dept Phys, De Kalb, IL 60115 USA No Illinois Univ De Kalb IL USA 60115 v, Dept Phys, De Kalb, IL 60115 USA Argonne Natl Lab, Div Mat Sci, Argonne, IL 60439 USA Argonne Natl Lab Argonne IL USA 60439 Div Mat Sci, Argonne, IL 60439 USA Univ Calif Santa Barbara, Dept Mat, Santa Barbara, CA 93106 USA Univ CalifSanta Barbara Santa Barbara CA USA 93106 Barbara, CA 93106 USA
Titolo Testata:
APPLIED PHYSICS LETTERS
fascicolo: 11, volume: 77, anno: 2000,
pagine: 1626 - 1628
SICI:
0003-6951(20000911)77:11<1626:LGOGIB>2.0.ZU;2-T
Fonte:
ISI
Lingua:
ENG
Soggetto:
X-RAY-SCATTERING; CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION; SURFACE-STRUCTURE; MORPHOLOGY; AG(111); AG;
Tipo documento:
Article
Natura:
Periodico
Settore Disciplinare:
Physical, Chemical & Earth Sciences
--discip_EC--
Citazioni:
18
Recensione:
Indirizzi per estratti:
Indirizzo: Munkholm, A Argonne Natl Lab, Div Chem, 9700 S Cass Ave, Argonne, IL 60439USA Argonne Natl Lab 9700 S Cass Ave Argonne IL USA 60439 0439 USA
Citazione:
A. Munkholm et al., "Layer-by-layer growth of GaN induced by silicon", APPL PHYS L, 77(11), 2000, pp. 1626-1628

Abstract

We present in situ x-ray scattering studies of surface morphology evolution during metal-organic chemical vapor deposition of GaN. Dosing the GaN(0001) surface with Si is shown to change the growth mode from step-flow to layer-by-layer over a wide temperature range. Annealing of highly doped layerscauses Si to segregate to the surface, which also induces layer-by-layer growth. (C) 2000 American Institute of Physics. [S0003-6951(00)02637-1].

ASDD Area Sistemi Dipartimentali e Documentali, Università di Bologna, Catalogo delle riviste ed altri periodici
Documento generato il 24/09/20 alle ore 08:21:54