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Titolo:
High-power interband cascade lasers with quantum efficiency > 450%
Autore:
Yang, RQ; Bruno, JD; Bradshaw, JL; Pham, JT; Wortman, DE;
Indirizzi:
USA, Res Lab, Adelphi, MD 20783 USA USA Adelphi MD USA 20783USA, Res Lab, Adelphi, MD 20783 USA
Titolo Testata:
ELECTRONICS LETTERS
fascicolo: 15, volume: 35, anno: 1999,
pagine: 1254 - 1255
SICI:
0013-5194(19990722)35:15<1254:HICLWQ>2.0.ZU;2-A
Fonte:
ISI
Lingua:
ENG
Soggetto:
WELLS;
Tipo documento:
Article
Natura:
Periodico
Settore Disciplinare:
Engineering, Computing & Technology
--discip_EC--
Citazioni:
7
Recensione:
Indirizzi per estratti:
Indirizzo: Yang, RQ USA, Res Lab, 2800 Power Mill Rd, Adelphi, MD 20783 USA USA 2800 Power Mill Rd Adelphi MD USA 20783 Adelphi, MD 20783 USA
Citazione:
R.Q. Yang et al., "High-power interband cascade lasers with quantum efficiency > 450%", ELECTR LETT, 35(15), 1999, pp. 1254-1255

Abstract

Mid-IR (3.8-3.9 mu m) interband cascade lasers based on InAs/GaInSb heterostructures have been demonstrated at temperatures up to 210K. The authors have observed a peak optical output power of similar to 2W/facet from one device at 80K, and from another device at 150K, a slope of 735mW/A per facet,corresponding to a differential external quantum efficiency of 456%.

ASDD Area Sistemi Dipartimentali e Documentali, Università di Bologna, Catalogo delle riviste ed altri periodici
Documento generato il 01/12/20 alle ore 06:55:01