Catalogo Articoli (Spogli Riviste)

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Titolo:
Thermal conductivity of Y2O3-doped Si3N4 ceramic at 4 to 1000 K
Autore:
Watari, K; Brito, ME; Toriyama, M; Ishizaki, K; Cao, S; Mori, K;
Indirizzi:
Natl Ind Res Inst Nagoya, Kita Ku, Nagoya, Aichi 4628510, Japan Natl Ind Res Inst Nagoya Nagoya Aichi Japan 4628510 Aichi 4628510, Japan Nagaoka Univ Technol, Sch Mech Engn, Dept Mat Sci & Engn, Nagaoka, Niigata9402188, Japan Nagaoka Univ Technol Nagaoka Niigata Japan 9402188 Niigata9402188, Japan Toyama Univ, Fac Engn, Toyama 9308555, Japan Toyama Univ Toyama Japan 9308555 a Univ, Fac Engn, Toyama 9308555, Japan
Titolo Testata:
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE LETTERS
fascicolo: 11, volume: 18, anno: 1999,
pagine: 865 - 867
SICI:
0261-8028(19990601)18:11<865:TCOYSC>2.0.ZU;2-A
Fonte:
ISI
Lingua:
ENG
Soggetto:
SILICON-NITRIDE; MICROSTRUCTURE; Y2O3;
Tipo documento:
Article
Natura:
Periodico
Settore Disciplinare:
Physical, Chemical & Earth Sciences
Engineering, Computing & Technology
--discip_EC--
Citazioni:
15
Recensione:
Indirizzi per estratti:
Indirizzo: Watari, K Natl Ind Res Inst Nagoya, Kita Ku, Hirate Cho 1-1, Nagoya, Aichi4628510, Japan Natl Ind Res Inst Nagoya Hirate Cho 1-1 Nagoya Aichi Japan 4628510
Citazione:
K. Watari et al., "Thermal conductivity of Y2O3-doped Si3N4 ceramic at 4 to 1000 K", J MAT SCI L, 18(11), 1999, pp. 865-867


ASDD Area Sistemi Dipartimentali e Documentali, Università di Bologna, Catalogo delle riviste ed altri periodici
Documento generato il 04/07/20 alle ore 21:24:27