Catalogo Articoli (Spogli Riviste)

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Titolo:
Structural transitions in the group IV, III-V, and II-VI semiconductors under pressure
Autore:
Nelmes, RJ; McMahon, MI;
Indirizzi:
Univ Edinburgh, Dept Phys & Astron, Edinburgh, Midlothian, Scotland Univ Edinburgh Edinburgh Midlothian Scotland burgh, Midlothian, Scotland Univ Liverpool, Dept Phys, Liverpool L69 3BX, Merseyside, England Univ Liverpool Liverpool Merseyside England L69 3BX , Merseyside, England
Titolo Testata:
HIGH PRESSURE IN SEMICONDUCTOR PHYSICS I
, volume: 54, anno: 1998,
pagine: 145 - 246
SICI:
0080-8784(1998)54:<145:STITGI>2.0.ZU;2-R
Fonte:
ISI
Lingua:
ENG
Soggetto:
RAY-ABSORPTION SPECTROSCOPY; INDUCED PHASE-TRANSITIONS; DIAMOND-ANVIL CELL; ROCK-SALT PHASE; X-RAY; CRYSTAL-STRUCTURE; CINNABAR PHASE; AB-INITIO; ELECTRICAL-PROPERTIES; ULTRAHIGH PRESSURE;
Tipo documento:
Review
Natura:
Collana
Settore Disciplinare:
Engineering, Computing & Technology
--discip_EC--
Citazioni:
213
Recensione:
Indirizzi per estratti:
Indirizzo: Nelmes, RJ Univ Edinburgh, Dept Phys & Astron, Edinburgh, Midlothian, Scotland Univ Edinburgh Edinburgh Midlothian Scotland othian, Scotland
Citazione:
R.J. Nelmes e M.I. McMahon, "Structural transitions in the group IV, III-V, and II-VI semiconductors under pressure", SEM SEMIMET, 54, 1998, pp. 145-246


ASDD Area Sistemi Dipartimentali e Documentali, Università di Bologna, Catalogo delle riviste ed altri periodici
Documento generato il 21/09/20 alle ore 04:57:13