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Titolo:
A-SI-H BASED PARTICLE DETECTORS WITH LOW DEPLETION VOLTAGE
Autore:
MOROSANU C; CESILE C; KOREPANOV S; FIORINI P; BACCI C; MEDDI F; EVANGELISTI F; MITTIGA A;
Indirizzi:
DEPT PHYS,P LE A MORO 2 I-00185 ROME ITALY ENIRICERCHE SPA I-00015 MONTEROTONDO ITALY
Titolo Testata:
Journal of non-crystalline solids
, volume: 166, anno: 1993,
parte:, 2
pagine: 801 - 804
SICI:
0022-3093(1993)166:<801:ABPDWL>2.0.ZU;2-S
Fonte:
ISI
Lingua:
ENG
Soggetto:
AMORPHOUS-SILICON;
Tipo documento:
Article
Natura:
Periodico
Settore Disciplinare:
Science Citation Index Expanded
Citazioni:
5
Recensione:
Indirizzi per estratti:
Citazione:
C. Morosanu et al., "A-SI-H BASED PARTICLE DETECTORS WITH LOW DEPLETION VOLTAGE", Journal of non-crystalline solids, 166, 1993, pp. 801-804

Abstract

We have prepared p-i-n particle detectors using for the active layer both undoped and slightly boron doped amorphous silicon. The doped devices exhibit a much lower depletion voltage. The efficiency improvements over the undoped ones are limited by the decrease of the mobility-lifetime product of the electrons.

ASDD Area Sistemi Dipartimentali e Documentali, Università di Bologna, Catalogo delle riviste ed altri periodici
Documento generato il 04/12/20 alle ore 06:52:41