Catalogo Articoli (Spogli Riviste)

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Titolo:
DESIGNING A LINEAR SILICON DRIFT DETECTOR
Autore:
GRAMEGNA G; CORSI F; DEVENUTO D; MARZOCCA C; VACCHI A; MANZARI V; NAVACH F; BEOLE S; CASSE G; GIUBELLINO P; RICCATI L; BURGER P;
Indirizzi:
POLITECN BARI,DIPARTIMENTO ELETTROTECN & ELETTRON I-70125 BARI ITALY IST NAZL FIS NUCL I-70125 BARI ITALY UNIV TRIESTE,DIPARTIMENTO FIS I-34012 TRIESTE ITALY IST NAZL FIS NUCL I-34012 TRIESTE ITALY UNIV BARI,DIPARTIMENTO FIS I-70125 BARI ITALY UNIV BARI,DIPARTIMENTO FIS I-70125 BARI ITALY UNIV TURIN,DIPARTIMENTO FIS I-10125 TURIN ITALY IST NAZL FIS NUCL,SEZ TORINO I-10125 TURIN ITALY CANBERRA SEMICOND B-2250 OLEN BELGIUM
Titolo Testata:
IEEE transactions on nuclear science
fascicolo: 5, volume: 42, anno: 1995,
pagine: 1497 - 1504
SICI:
0018-9499(1995)42:5<1497:DALSDD>2.0.ZU;2-I
Fonte:
ISI
Lingua:
ENG
Soggetto:
HIGH-RESISTIVITY SILICON;
Tipo documento:
Article
Natura:
Periodico
Settore Disciplinare:
Science Citation Index Expanded
Science Citation Index Expanded
Citazioni:
16
Recensione:
Indirizzi per estratti:
Citazione:
G. Gramegna et al., "DESIGNING A LINEAR SILICON DRIFT DETECTOR", IEEE transactions on nuclear science, 42(5), 1995, pp. 1497-1504

Abstract

The design and 2D simulation results of a Silicon Drift Chamber with a rectangular configuration are presented, The proposed structure is intended to allow a test of the technology used in the production of the device and serve as a basis to verify different solutions in the design of drift detectors.

ASDD Area Sistemi Dipartimentali e Documentali, Università di Bologna, Catalogo delle riviste ed altri periodici
Documento generato il 27/11/20 alle ore 04:43:17