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Titolo:
GE(001) GAS-SOURCE MOLECULAR-BEAM EPITAXY ON GE(001)2X1 AND SI(001)2X1 FROM GE2H6 - GROWTH-KINETICS AND SURFACE ROUGHENING
Autore:
BRAMBLETT TR; LU Q; LEE NE; TAYLOR N; HASAN MA; GREENE JE;
Indirizzi:
UNIV ILLINOIS,DEPT MAT SCI,COORDINATED SCI LAB URBANA IL 61801 UNIV ILLINOIS,MAT RES LAB URBANA IL 61801
Titolo Testata:
Journal of applied physics
fascicolo: 4, volume: 77, anno: 1995,
pagine: 1504 - 1513
SICI:
0021-8979(1995)77:4<1504:GGMEOG>2.0.ZU;2-O
Fonte:
ISI
Lingua:
ENG
Soggetto:
SCANNING-TUNNELING-MICROSCOPY; INTERNAL-STATE DISTRIBUTIONS; ATOMIC-LAYER EPITAXY; THIN-FILM GROWTH; PI-BONDED DIMERS; CL CVD SYSTEM; HYDROGEN DESORPTION; GE FILMS; MONOHYDRIDE PHASE; H-2 DESORPTION;
Tipo documento:
Article
Natura:
Periodico
Settore Disciplinare:
Science Citation Index Expanded
Citazioni:
74
Recensione:
Indirizzi per estratti:
Citazione:
T.R. Bramblett et al., "GE(001) GAS-SOURCE MOLECULAR-BEAM EPITAXY ON GE(001)2X1 AND SI(001)2X1 FROM GE2H6 - GROWTH-KINETICS AND SURFACE ROUGHENING", Journal of applied physics, 77(4), 1995, pp. 1504-1513


ASDD Area Sistemi Dipartimentali e Documentali, Università di Bologna, Catalogo delle riviste ed altri periodici
Documento generato il 02/12/20 alle ore 17:46:29