Catalogo Articoli (Spogli Riviste)

OPAC HELP

Titolo:
DEEP LEVELS IN UNDOPED IN0.5GA0.5P AND IN0.5GA0.5P0.99AS0.01 GROWN ONGAAS (100) SUBSTRATES
Autore:
LAN S; YANG CQ; CUI DL; XU WJ; LIU HD;
Indirizzi:
BEIJING UNIV,NATL LAB MESOSCOP PHYS,DEPT PHYS BEIJING 100871 PEOPLES R CHINA
Titolo Testata:
Applied physics letters
fascicolo: 7, volume: 66, anno: 1995,
pagine: 872 - 874
SICI:
0003-6951(1995)66:7<872:DLIUIA>2.0.ZU;2-0
Fonte:
ISI
Lingua:
ENG
Soggetto:
LIQUID-PHASE EPITAXY; MOLECULAR-BEAM EPITAXY; ELECTRON TRAPS; INGAP; HETEROSTRUCTURE; DIODES;
Tipo documento:
Article
Natura:
Periodico
Settore Disciplinare:
Science Citation Index Expanded
Citazioni:
16
Recensione:
Indirizzi per estratti:
Citazione:
S. Lan et al., "DEEP LEVELS IN UNDOPED IN0.5GA0.5P AND IN0.5GA0.5P0.99AS0.01 GROWN ONGAAS (100) SUBSTRATES", Applied physics letters, 66(7), 1995, pp. 872-874


ASDD Area Sistemi Dipartimentali e Documentali, Università di Bologna, Catalogo delle riviste ed altri periodici
Documento generato il 12/07/20 alle ore 06:24:48