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Titolo:
DETERMINATION OF THE CRITICAL THICKNESS OF MISFIT DISLOCATION MULTIPLICATION USING IN-SITU DOUBLE-CRYSTAL X-RAY-DIFFRACTION (VOL 11, PG 1051, 1996)
Autore:
MOCK P; TANNER BK; LI CR; KEIR AM; JOHNSON AD; LACEY G; CLARK GF; LUNN B; HOGG JCH;
Titolo Testata:
Semiconductor science and technology
fascicolo: 9, volume: 11, anno: 1996,
pagine: 1363 - 1363
SICI:
0268-1242(1996)11:9<1363:DOTCTO>2.0.ZU;2-Y
Fonte:
ISI
Lingua:
ENG
Tipo documento:
Correction, Addition
Natura:
Periodico
Settore Disciplinare:
Science Citation Index Expanded
Science Citation Index Expanded
Science Citation Index Expanded
Citazioni:
1
Recensione:
Indirizzi per estratti:
Citazione:
P. Mock et al., "DETERMINATION OF THE CRITICAL THICKNESS OF MISFIT DISLOCATION MULTIPLICATION USING IN-SITU DOUBLE-CRYSTAL X-RAY-DIFFRACTION (VOL 11, PG 1051, 1996)", Semiconductor science and technology, 11(9), 1996, pp. 1363-1363


ASDD Area Sistemi Dipartimentali e Documentali, Università di Bologna, Catalogo delle riviste ed altri periodici
Documento generato il 05/04/20 alle ore 08:41:41