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Titolo:
GROWTH OF GERMANIUM-CARBON ALLOYS ON SILICON SUBSTRATES BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY (VOL 67, PG 1865, 1995)
Autore:
KOLODZEY J; ONEIL PA; ZHANG S; ORNER BA; ROE K; UNRUH KM; SWANN CP; WAITE MM;
Indirizzi:
UNIV DELAWARE,DEPT ELECT ENGN NEWARK DE 19716 UNIV DELAWARE,SHARP LAB,DEPT PHYS & ASTRON NEWARK DE 19716 DUPONT CO INC,EXPTL STN WILMINGTON DE 19880
Titolo Testata:
Applied physics letters
fascicolo: 8, volume: 68, anno: 1996,
pagine: 1168 - 1168
SICI:
0003-6951(1996)68:8<1168:GOGAOS>2.0.ZU;2-I
Fonte:
ISI
Lingua:
ENG
Tipo documento:
Correction, Addition
Natura:
Periodico
Settore Disciplinare:
Science Citation Index Expanded
Citazioni:
1
Recensione:
Indirizzi per estratti:
Citazione:
J. Kolodzey et al., "GROWTH OF GERMANIUM-CARBON ALLOYS ON SILICON SUBSTRATES BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY (VOL 67, PG 1865, 1995)", Applied physics letters, 68(8), 1996, pp. 1168-1168


ASDD Area Sistemi Dipartimentali e Documentali, Università di Bologna, Catalogo delle riviste ed altri periodici
Documento generato il 27/09/20 alle ore 00:59:09